信息存储系统教育部重点实验室 English Version

博士生吴兵的论文被期刊TCAD录用

点击次数:发布时间:2019-08-28 17:04作者:吴兵、冯丹 审定人:施展、雷梦雅

阻变存储器是一种新型非易失存储器,具有着零静功耗、读写速度快、单元尺寸小等优点。一般通过crossbar结构组织成存储阵列来达到最大化的面积效率。但是其阵列中导线电阻的存在,会产生IR-drop问题,即写驱动的写入电压被导线分压,使得目标单元的分压下降,继而影响性能和可靠性。

信息存储与光显示功能实验室博士生吴兵在冯丹教授、童薇副教授的指导下,提出了一种互补阻变单元可重配存储优化。研究中,基于一种特殊的阻变存储器“互补阻变单元”具有两种工作模式的特性(MEM模式以及CRS模式),提出在阵列中动态对单元模式进行配置。两种工作模式分别具有高性能和高可靠性,可以互补对方的缺点。研究经gem5和nvmain系统级全仿真模拟器运行SPEC CPU2006负载进行实验验证,在高低阻值比300的情况下,相比全MEM模式阵列有着19.1倍能耗节省,相比全CRS模式阵列有着10.7倍更长的寿命,同时保证了性能上没有损失。

该研究于2019年6月被IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (IEEE TCAD)录用,题为“一种互补阻变单元的低功耗可重配内存架构”(A Low Power Reconfigurable Memory Architecture for Complementary Resistive Switches)。

IEEE TCAD是中国计算机学会推荐的A类期刊,是计算机辅助设计领域中最具影响力的刊物之一。该项研究受到国家自然科学基金(No.61821003, No.61832007, No. 61772222, No.U1705261)、国家高技术研究发展计划(863)项目(No.2015AA015301)等多个项目的支持。

CRS单元的两种工作模式

能耗测试结果

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