相变存储器（Phase Change Memory，PCM）是一种由硫族化合物材料构成的新型非易失存储器，相变存储器介质材料在一定条件下会在非晶态和晶态之间发生转变，具有更好的可扩展性以及更低的静态功耗，是DRAM技术的有力竞争者，但是其较差的性能限制了其在主存系统中的应用。

信息存储与光显示功能实验室博士生李铮等人在王芳教授的指导下，提出了一种新颖的相变存储器写方案，命名为Min-WU。李铮等人通过对多线程应用负载的分析，发现多线程应用的内存访问呈现明显的访问局部性，即一小部分的数据类型占据了大量的数据访问。Min-WU的核心思想是最小化写入单元的数量，以加速PCM主存写入操作。Min-WU从两个维度提升写入并行性：首先，对数据依据其数据类型进行压缩来减少数据总量。其次，在功耗预算的限制下将更多的数据位封装到一个写入单元中，尝试以较少的写入单位完成缓存行写入。通过大量实验测试和分析表明，相关研究方法在系统读写延迟，应用执行时间以及系统整体能耗方面显著优于现有的相变存储器写方法。

相关研究成果“Time and Space-efficient Write Parallelism in PCM by Exploiting Data Patterns”被IEEE Transactions on Computers（IEEE TC）录用，IEEE TC是中国计算机学会推荐的A类期刊，也是计算机设计及系统领域重要国际期刊。该研究得到了国家高技术研究发展计划863项目（No.2015AA015301, No.2013AA013203, No.2015AA016701），国家自然科学基金项目（No. 61502190, No.61303046, No. 61472153）等的支持。